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Msp430_Flash.H：源码内容

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关于MSP430的内部FLASH的说明：
1，针对所有型号的信息存储器的地址完全相同，从1000H----10FFH
	信息存储器A的开始地址在1080H，结束地址在10FFH
	信息存储器B的开始地址在1000H，结束地址在107FH
2，这里只讨论针对信息存储器的擦除，编程，和读取
	A：擦除：
		1，选择适当的时钟源和分频因子，为时序提供正确的时钟输入
		2，如果Lock=1,则将它复位
		3，监视BUSY标志，只有当BUSY=0才能执行下一步
		4，如果擦除一段，则设置ERASE=1，如果是多段则MERAS=1
		5，对擦除的地址范围内任意位置写一次空写入，用以启动擦除操作
	通过上面总结出，对FLASH擦除，需要做4件事情
		1，对FLASH的控制寄存器写入适当的控制位
		2，监视BUSY位
		3，空写一次
		4，等待
	B，编程
		1，选择适当的时钟源以及合适的分频因子
		2，如果Lock=1,将它复位
		3，监视BUSY，直到BUSY=0时才可进入下一步
		4，如果写入单字或者单字节，则将设置WRT=1
		5，如果块写或者多字，多字节顺序写入，则将设置WRT=1，BLKWRT=1
		6，将数据写入选定地址时，启动时序发生器，在时序发生器的控制下，完成整个过程
	C，读操作
		比较简单，可使用各种寻址方式，借助指令可轻松完成，而擦除和写入就不一样了，需要按固有
		的操作过程，通过控制FLASH模块的3个控制字的相应位来完成。
		FCTL1	控制寄存器1
		0---15
		1：ERASE
		2：MERAS
		6：WRT
		7：BLKWRT
		8--15：安全键值，读时为96H，写时为5AH
		FCTL2	控制寄存器2
		0--5：	FN0---FN5，分频系数选择位
		6-7：	SSEL0-SSEL1，选择时钟源
		8---15：安全键值，096H(读)，0A5(写)
		FCTL3	控制寄存器3
		0：BUSY		忙标志位
		1：KEYV		安全键值出错标志位
		2：ACCVIGF	非法访问中断标志
		3：WAIT
		4：Lock	锁定位，0，不加锁，可读可写可擦除；1加锁，只能读
		5: EMEX	紧急退出位，在对FLASH操作失控时候的紧急处理0，无作用，1立即停止操作
		8-15:安全键值
		在进行FLASH的操作期间一定要关掉看门狗定时器和所有中断
********************************************************/
#ifndef __Msp430_Flash_H
#define __Msp430_Flash_H
void Init_OperFlash(void);
void Write_SegAB(unsigned char Address_Flag);
void Read_SegAB(unsigned char Address_Flag);
#endif

						