开通博客赚积分
发布资源赚积分
分类

源码开发语言/平台
当前位置：首页 > 源码/资料 > 多国语言处理 > 查看源码
MOTOROLA.LIB
资源名称：ewb50.rar　[点击查看]
上传用户：hpy2008
上传日期：2008-06-23
资源大小：2967k
文件大小：47k
源码类别：

多国语言处理

开发平台：

Windows_Unix

MOTOROLA.LIB：源码内容
  1. *******************************************************************************
  2. *                                                                             *
  3. *                                                                             *
  4. *                                                                             *
  5. *        #############################################################        *
  6. *        #                                                           #        *
  7. *        #                       MTD10P06HDL                         #        *
  8. *        #                                                           #        *
  9. *        #                 Motorola TMOS Power FET                   #        *
  10. *        #                       10 AMPERES                          #        *
  11. *        #                        60 VOLTS                           #        *
  12. *        #                   RDS(on) = undef OHMS                    #        *
  13. *        #                     Package = TO220                       #        * 
  14. *        #                                                           #        *
  15. *        #               This model was developed by                 #        *
  16. *        #                      Analogy, Inc.                        #        *
  17. *        #                    9205 SW Gemini Dr.                     #        *
  18. *        #                   Beaverton, OR  97005                    #        *
  19. *        #               Copyright 1994 Analogy, Inc.                #        *
  20. *        #                  All Rights Reserved                      #        *
  21. *        #                                                           #        *
  22. *        #    The content of this model is subject to change         #        *
  23. *        #    without notice and may not be modified or altered      #        *
  24. *        #    without permission from Motorola, Inc.  This model     #        *
  25. *        #    has been carefully checked and is believed to be       #        *
  26. *        #    accurate, however neither Analogy nor Motorola         #        *
  27. *        #    assume liability for the use of this model or the      #        *
  28. *        #    results obtained from using it.                        #        *
  29. *        #                                                           #        *
  30. *        #    For more information regarding modeling services,      #        *
  31. *        #    model libraries or simulation products, please         #        *
  32. *        #    Analogy, Inc. (503) 626-9700.                          #        *
  33. *        #                                                           #        *
  34. *        #############################################################        *
  35. *                                                                             *
  36. *                                                                             *
  37. *                                                                             *
  38. *******************************************************************************
  39. * There are four simulation models provided on this disk for the MTD10P06HDL 
  40. * power mosfet.  Three of the models are for use with SPICE based simulators 
  41. * and the fourth model is for use with the SABER(TM) simulator from Analogy.
  42. *
  43. * The three SPICE models have identical parameter values and model structure 
  44. * however the syntax is slightly modified in each model to support a variety 
  45. * of SPICE simulators. The SPICE model is based on the available elements 
  46. * in SPICE based electrical simulators and may have limited accuracy and 
  47. * convergence capabilities due to fundamental limitations in SPICE based 
  48. * simulators. Specifically, this model DOES NOT produce an accurate prediction 
  49. * of some non-linear capacitance effects, non-linear leakage characteristics, 
  50. * soft-knee breakdown, weak inversion characteristics, body diode forward and 
  51. * reverse recovery  mechanisms, and maximum device ratings.
  52. *
  53. * The SABER model is a more accurate model that includes all non-linear 
  54. * capacitances, non-linear leakage characteristics, soft-knee breakdown, weak 
  55. * inversion characteristics, body diode forward and reverse recovery mechanisms, 
  56. * and maximum stress ratings. The model is available for use with the SABER(tm) 
  57. * simulator from Analogy and is written in MAST(tm), an Analog Hardware 
  58. * Description Language (AHDL). The SABER model is well suited for power circuit 
  59. * simulation. 
  60. ********************************************************************************
  61. *
  62. ********************************************************************************
  63. *
  64. * The model for this device is a subcircuit and can be used in the one of the
  65. * following formats in any spice compatible simulator.
  66. *
  67. * This model file contains 3 subcircuits with correct syntax for SPICE2G.6, 
  68. * SPICE3C/D.X, HSPICE(tm) and PSPICE(tm). The user must call the proper subcircuit
  69. * in their netlist depending on the simulator they are using, e.g.:
  70. *
  71. * X<name> Nodes<N1, N2, N3> Model_Name
  72. *
  73. * where X<name> is the circuit specific name, Nodes<N1, N2, N3> are the
  74. * connection points for the device and Model_Name is the name of the model
  75. * provided in this model file.
  76. *
  77. * There are 3 nodes for this device.
  78. * The first is the Drain, the second is the Gate, and the third is the Source.
  79. * The Model_Name is: mtd10p06hdlG for Berkley 2G.6 and compatible simulators.
  80. *                    mtd10p06hdlD for Berkley 3C.X, 3D.X and HSPICE(tm) simulators.
  81. *                    mtd10p06hdlP for Microsim PSPICE(tm) simulator. 
  82. * Example: X1 1 2 3 mtd10p06hdlX
  83. * 
  84. ******* BERKLEY 2G.6 AND COMPATIBLE SIMULATORS *****************************
  85. **************************  INSTANTIATION   **********************************
  86. .subckt mtd10p06hdlG  10 20 30 
  87. *
  88. * 10 = Drain 20 = Gate 30 = Source
  89. *
  90. ******************************************************************************
  91. *
  92. *------------------------ EXTERNAL PARASITICS --------------------------------
  93. * PACKAGE INDUCTANCE
  94. *
  95. LDRAIN  10  11  4.5e-09
  96. LGATE   20  21  7.5e-09
  97. LSOURCE 30  31  7.5e-09
  98. *
  99. * RESISTANCES
  100. * 
  101. RDRAIN1    4  11 0.08286 TC=0.004099,1.47717e-05
  102. RDRAIN2    4   5 0.001 TC=0.004099,1.47717e-05 
  103. RSOURCE   31   6 0.03374 TC=-0.0001518,3.7026e-06
  104. RDBODY     8  30 0.8  TC=-0.01362,5.70097e-05
  105. *
  106. RGATE      21   2 5
  107. *
  108. *--------------------------------------------------------------------------
  109. *
  110. *--------------- CAPACITANCES AND BODY DIODE ------------------------------
  111. *
  112. DBODY       11  8  DBODY
  113. DGD         11  3  DGD
  114. CGDMAX      2   3 2.5e-09
  115. RGDMAX      2   3 1e+08
  116. CGS         2   6 7.919e-10 
  117. *
  118. *--------------------------------------------------------------------------
  119. *
  120. *----------------------- CORE MOSFET --------------------------------------
  121. *
  122. M1       5  2  6  6  MAIN
  123. *
  124. *--------------------------------------------------------------------------
  125. *
  126. .MODEL MAIN PMOS  ( 
  127. +LEVEL   = 3
  128. +VTO     = -2.239
  129. +KP      = 23.4
  130. +GAMMA   = 0.8
  131. +PHI     = 0.6
  132. +LAMBDA  = 0.001
  133. +RD      = 0
  134. +RS      = 0
  135. +CBD     = 0
  136. +CBS     = 0
  137. +IS      = 1e-14
  138. +PB      = 0.8
  139. +CGSO    = 0
  140. +CGDO    = 0
  141. +CGBO    = 0
  142. +RSH     = 0
  143. +CJ      = 0
  144. +MJ      = 0.5
  145. +CJSW    = 0
  146. +MJSW    = 0.33
  147. +JS      = 1e-14
  148. +TOX     = 1e-07
  149. +NSUB    = 1e+15
  150. +NSS     = 0
  151. +NFS     = 2.982e+11
  152. +TPG     = 1
  153. +XJ      = 0
  154. +LD      = 0
  155. +UO      = 600
  156. +UCRIT   = 0
  157. +UEXP    = 0
  158. +UTRA    = 0
  159. +VMAX    = 0
  160. +NEFF    = 1
  161. +KF      = 0
  162. +AF      = 1
  163. +FC      = 0.5
  164. +DELTA   = 0
  165. +THETA   = 0
  166. +ETA     = 0
  167. +KAPPA   = 0.2)
  168. *
  169. *--------------------------------------------------------------------------
  170. *
  171. .MODEL DGD D  ( 
  172. +IS      = 1e-15
  173. +RS      = 0
  174. +N       = 1000
  175. +TT      = 0
  176. +CJO     = 9.571e-10
  177. +VJ      = 0.1872
  178. +M       = 0.5743
  179. +EG      = 1.11
  180. +XTI     = 3
  181. +KF      = 0
  182. +AF      = 1
  183. +FC      = 0.5
  184. +BV      = 10000
  185. +IBV     = 0.001)
  186. *
  187. *--------------------------------------------------------------------------
  188. *
  189. .MODEL DBODY D  ( 
  190. +IS      = 1.496e-12
  191. +RS      = 0
  192. +N       = 1.041
  193. +TT      = 1.45e-07
  194. +CJO     = 7.513e-10
  195. +VJ      = 0.8471
  196. +M       = 0.4837
  197. +EG      = 1.11
  198. +XTI     = 4
  199. +KF      = 0
  200. +AF      = 1
  201. +FC      = 0.5
  202. +BV      = 77
  203. +IBV     = 0.00025)
  204. .ENDS
  205. ***** BERKLEY 3C.X, 3D.X AND HSPICE(tm) SIMULATORS ***************************
  206. **************************  INSTANTIATION   **********************************
  207. .subckt mtd10p06hdlC 10 20 30 
  208. *
  209. * 10 = Drain 20 = Gate 30 = Source
  210. *
  211. ******************************************************************************
  212. *
  213. *------------------------ EXTERNAL PARASITICS --------------------------------
  214. * PACKAGE INDUCTANCE
  215. *
  216. LDRAIN  10  11  4.5e-09
  217. LGATE   20  21  7.5e-09
  218. LSOURCE 30  31  7.5e-09
  219. *
  220. * RESISTANCES
  221. *
  222. RDRAIN1    4  11 0.08286 RDRAIN
  223. RDRAIN2    4   5 0.001 RDRAIN
  224. RSOURCE   31   6 0.03374 RSOURCE 
  225. RDBODY     8  30 0.8  RDBODY
  226. *
  227. RGATE      21   2 5
  228. *
  229. *--------------------------------------------------------------------------
  230. *
  231. *--------------- CAPACITANCES AND BODY DIODE ------------------------------
  232. *
  233. DBODY       11  8 DBODY
  234. DGD         11  3 DGD
  235. CGDMAX      2   3 2.5e-09
  236. RGDMAX      2   3 1e+08
  237. CGS         2   6 7.919e-10 
  238. *
  239. *--------------------------------------------------------------------------
  240. *
  241. *----------------------- CORE MOSFET --------------------------------------
  242. *
  243. M1       5  2  6  6  MAIN
  244. *
  245. *--------------------------------------------------------------------------
  246. *
  247. *.MODEL RDRAIN  R  (
  248. *+TC1     = 0.004099
  249. *+TC2     = 1.47717e-05)
  250. *
  251. *.MODEL RSOURCE  R  (
  252. *+TC1     = -0.0001518
  253. *+TC2     = 3.7026e-06)
  254. *
  255. *.MODEL RDBODY  R  (
  256. *+TC1     = -0.01362
  257. *+TC2     = 5.70097e-05)
  258. *
  259. *
  260. .MODEL MAIN PMOS  ( 
  261. +LEVEL   = 3
  262. +VTO     = -2.239
  263. +KP      = 23.4
  264. +GAMMA   = 0.8
  265. +PHI     = 0.6
  266. +LAMBDA  = 0.001
  267. +RD      = 0
  268. +RS      = 0
  269. +CBD     = 0
  270. +CBS     = 0
  271. +IS      = 1e-14
  272. +PB      = 0.8
  273. +CGSO    = 0
  274. +CGDO    = 0
  275. +CGBO    = 0
  276. +RSH     = 0
  277. +CJ      = 0
  278. +MJ      = 0.5
  279. +CJSW    = 0
  280. +MJSW    = 0.33
  281. +JS      = 1e-14
  282. +TOX     = 1e-07
  283. +NSUB    = 1e+15
  284. +NSS     = 0
  285. +NFS     = 2.982e+11
  286. +TPG     = 1
  287. +XJ      = 0
  288. +LD      = 0
  289. +UO      = 600
  290. +UCRIT   = 0
  291. +UEXP    = 0
  292. +UTRA    = 0
  293. +VMAX    = 0
  294. +NEFF    = 1
  295. +KF      = 0
  296. +AF      = 1
  297. +FC      = 0.5
  298. +DELTA   = 0
  299. +THETA   = 0
  300. +ETA     = 0
  301. +KAPPA   = 0.2)
  302. *
  303. *--------------------------------------------------------------------------
  304. *
  305. .MODEL DGD D  ( 
  306. +IS      = 1e-15
  307. +RS      = 0
  308. +N       = 1000
  309. +TT      = 0
  310. +CJO     = 9.571e-10
  311. +VJ      = 0.1872
  312. +M       = 0.5743
  313. +EG      = 1.11
  314. +XTI     = 3
  315. +KF      = 0
  316. +AF      = 1
  317. +FC      = 0.5
  318. +BV      = 10000
  319. +IBV     = 0.001)
  320. *
  321. *--------------------------------------------------------------------------
  322. *
  323. .MODEL DBODY D  ( 
  324. +IS      = 1.496e-12
  325. +RS      = 0
  326. +N       = 1.041
  327. +TT      = 1.45e-07
  328. +CJO     = 7.513e-10
  329. +VJ      = 0.8471
  330. +M       = 0.4837
  331. +EG      = 1.11
  332. +XTI     = 4
  333. +KF      = 0
  334. +AF      = 1
  335. +FC      = 0.5
  336. +BV      = 77
  337. +IBV     = 0.00025)
  338. .ENDS
  339. ***** MICROSIM PSPICE(tm) SIMULATORS *****************************************
  340. **************************  INSTANTIATION   **********************************
  341. .subckt mtd10p06hdlP 10 20 30 
  342. *
  343. * 10 = Drain 20 = Gate 30 = Source
  344. *
  345. ******************************************************************************
  346. *
  347. *------------------------ EXTERNAL PARASITICS --------------------------------
  348. * PACKAGE INDUCTANCE
  349. *
  350. LDRAIN  10  11  4.5e-09
  351. LGATE   20  21  7.5e-09
  352. LSOURCE 30  31  7.5e-09
  353. *
  354. * RESISTANCES
  355. *
  356. RDRAIN1    4  11 RDRAIN 0.08286
  357. RDRAIN2    4   5 RDRAIN 0.001
  358. RSOURCE   31   6 RSOURCE 0.03374  
  359. RDBODY     8  30 RDBODY  0.8
  360. *
  361. RGATE      21   2 5
  362. *
  363. *--------------------------------------------------------------------------
  364. *
  365. *--------------- CAPACITANCES AND BODY DIODE ------------------------------
  366. *
  367. DBODY       11  8 DBODY
  368. DGD         11  3 DGD
  369. CGDMAX      2   3 2.5e-09
  370. RGDMAX      2   3 1e+08
  371. CGS         2   6 7.919e-10 
  372. *
  373. *--------------------------------------------------------------------------
  374. *
  375. *----------------------- CORE MOSFET --------------------------------------
  376. *
  377. M1       5  2  6  6  MAIN
  378. *
  379. *--------------------------------------------------------------------------
  380. *
  381. .MODEL RDRAIN RES  (
  382. +TC1    = 0.004099
  383. +TC2    = 1.47717e-05)
  384. *
  385. .MODEL RSOURCE RES  (
  386. +TC1    = -0.0001518
  387. +TC2    = 3.7026e-06)
  388. *
  389. .MODEL RDBODY RES  (
  390. +TC1    = -0.01362
  391. +TC2    = 5.70097e-05)
  392. *
  393. *
  394. .MODEL MAIN PMOS  ( 
  395. +LEVEL   = 3
  396. +VTO     = -2.239
  397. +KP      = 23.4
  398. +GAMMA   = 0.8
  399. +PHI     = 0.6
  400. +LAMBDA  = 0.001
  401. +RD      = 0
  402. +RS      = 0
  403. +CBD     = 0
  404. +CBS     = 0
  405. +IS      = 1e-14
  406. +PB      = 0.8
  407. +CGSO    = 0
  408. +CGDO    = 0
  409. +CGBO    = 0
  410. +RSH     = 0
  411. +CJ      = 0
  412. +MJ      = 0.5
  413. +CJSW    = 0
  414. +MJSW    = 0.33
  415. +JS      = 1e-14
  416. +TOX     = 1e-07
  417. +NSUB    = 1e+15
  418. +NSS     = 0
  419. +NFS     = 2.982e+11
  420. +TPG     = 1
  421. +XJ      = 0
  422. +LD      = 0
  423. +UO      = 600
  424. +UCRIT   = 0
  425. +UEXP    = 0
  426. +UTRA    = 0
  427. +VMAX    = 0
  428. +NEFF    = 1
  429. +KF      = 0
  430. +AF      = 1
  431. +FC      = 0.5
  432. +DELTA   = 0
  433. +THETA   = 0
  434. +ETA     = 0
  435. +KAPPA   = 0.2)
  436. *
  437. *--------------------------------------------------------------------------
  438. *
  439. .MODEL DGD D  ( 
  440. +IS      = 1e-15
  441. +RS      = 0
  442. +N       = 1000
  443. +TT      = 0
  444. +CJO     = 9.571e-10
  445. +VJ      = 0.1872
  446. +M       = 0.5743
  447. +EG      = 1.11
  448. +XTI     = 3
  449. +KF      = 0
  450. +AF      = 1
  451. +FC      = 0.5
  452. +BV      = 10000
  453. +IBV     = 0.001)
  454. *
  455. *--------------------------------------------------------------------------
  456. *
  457. .MODEL DBODY D  ( 
  458. +IS      = 1.496e-12
  459. +RS      = 0
  460. +N       = 1.041
  461. +TT      = 1.45e-07
  462. +CJO     = 7.513e-10
  463. +VJ      = 0.8471
  464. +M       = 0.4837
  465. +EG      = 1.11
  466. +XTI     = 4
  467. +KF      = 0
  468. +AF      = 1
  469. +FC      = 0.5
  470. +BV      = 77
  471. +IBV     = 0.00025)
  472. .ENDS
  476. *******************************************************************************
  477. *                                                                             *
  478. *                                                                             *
  479. *                                                                             *
  480. *        #############################################################        *
  481. *        #                                                           #        *
  482. *        #                        MMSF3P02HD                         #        *
  483. *        #                                                           #        *
  484. *        #                 Motorola TMOS Power FET                   #        *
  485. *        #                        3 AMPERES                          #        *
  486. *        #                        20 VOLTS                           #        *
  487. *        #                   RDS(on) = .075 OHMS                     #        *
  488. *        #                     Package = SO-8                        #        * 
  489. *        #                                                           #        *
  490. *        #               This model was developed by                 #        *
  491. *        #                      Analogy, Inc.                        #        *
  492. *        #                    9205 SW Gemini Dr.                     #        *
  493. *        #                   Beaverton, OR  97005                    #        *
  494. *        #               Copyright 1994 Analogy, Inc.                #        *
  495. *        #                  All Rights Reserved                      #        *
  496. *        #                                                           #        *
  497. *        #    The content of this model is subject to change         #        *
  498. *        #    without notice and may not be modified or altered      #        *
  499. *        #    without permission from Motorola, Inc.  This model     #        *
  500. *        #    has been carefully checked and is believed to be       #        *
  501. *        #    accurate, however neither Analogy nor Motorola         #        *
  502. *        #    assume liability for the use of this model or the      #        *
  503. *        #    results obtained from using it.                        #        *
  504. *        #                                                           #        *
  505. *        #    For more information regarding modeling services,      #        *
  506. *        #    model libraries or simulation products, please         #        *
  507. *        #    Analogy, Inc. (503) 626-9700.                          #        *
  508. *        #                                                           #        *
  509. *        #############################################################        *
  510. *                                                                             *
  511. *                                                                             *
  512. *                                                                             *
  513. *******************************************************************************
  514. * There are four simulation models provided on this disk for the MMSF3P02HD 
  515. * power mosfet.  Three of the models are for use with SPICE based simulators 
  516. * and the fourth model is for use with the SABER(TM) simulator from Analogy.
  517. *
  518. * The three SPICE models have identical parameter values and model structure 
  519. * however the syntax is slightly modified in each model to support a variety 
  520. * of SPICE simulators. The SPICE model is based on the available elements 
  521. * in SPICE based electrical simulators and may have limited accuracy and 
  522. * convergence capabilities due to fundamental limitations in SPICE based 
  523. * simulators. Specifically, this model DOES NOT produce an accurate prediction 
  524. * of some non-linear capacitance effects, non-linear leakage characteristics, 
  525. * soft-knee breakdown, weak inversion characteristics, body diode forward and 
  526. * reverse recovery  mechanisms, and maximum device ratings.
  527. *
  528. * The SABER model is a more accurate model that includes all non-linear 
  529. * capacitances, non-linear leakage characteristics, soft-knee breakdown, weak 
  530. * inversion characteristics, body diode forward and reverse recovery mechanisms, 
  531. * and maximum stress ratings. The model is available for use with the SABER(tm) 
  532. * simulator from Analogy and is written in MAST(tm), an Analog Hardware 
  533. * Description Language (AHDL). The SABER model is well suited for power circuit 
  534. * simulation. 
  535. ********************************************************************************
  536. *
  537. ********************************************************************************
  538. *
  539. * The model for this device is a subcircuit and can be used in the one of the
  540. * following formats in any spice compatible simulator.
  541. *
  542. * This model file contains 3 subcircuits with correct syntax for SPICE2G.6, 
  543. * SPICE3C/D.X, HSPICE(tm) and PSPICE(tm). The user must call the proper subcircuit
  544. * in their netlist depending on the simulator they are using, e.g.:
  545. *
  546. * X<name> Nodes<N1, N2, N3> Model_Name
  547. *
  548. * where X<name> is the circuit specific name, Nodes<N1, N2, N3> are the
  549. * connection points for the device and Model_Name is the name of the model
  550. * provided in this model file.
  551. *
  552. * There are 3 nodes for this device.
  553. * The first is the Drain, the second is the Gate, and the third is the Source.
  554. * The Model_Name is: mmsf3p02hdG for Berkley 2G.6 and compatible simulators.
  555. *                    mmsf3p02hdD for Berkley 3C.X, 3D.X and HSPICE(tm) simulators.
  556. *                    mmsf3p02hdP for Microsim PSPICE(tm) simulator. 
  557. * Example: X1 1 2 3 mmsf3p02hdX
  558. * 
  559. ******* BERKLEY 2G.6 AND COMPATIBLE SIMULATORS *****************************
  560. **************************  INSTANTIATION   **********************************
  561. .subckt mmsf3p02hdG  10 20 30 
  562. *
  563. * 10 = Drain 20 = Gate 30 = Source
  564. *
  565. ******************************************************************************
  566. *
  567. *------------------------ EXTERNAL PARASITICS --------------------------------
  568. * PACKAGE INDUCTANCE
  569. *
  570. LDRAIN  10  11  7.5e-09
  571. LGATE   20  21  4.5e-09
  572. LSOURCE 30  31  4.5e-09
  573. *
  574. * RESISTANCES
  575. * 
  576. RDRAIN1    4  11 0.04938 TC=-0.003993,4.21478e-05
  577. RDRAIN2    4   5 0.001 TC=-0.003993,4.21478e-05 
  578. RSOURCE   31   6 0.01649 TC=-0.0055,-1.73763e-05
  579. RDBODY     8  30 0.166  TC=0.01634,0.00019925
  580. *
  581. RGATE      21   2 5
  582. *
  583. *--------------------------------------------------------------------------
  584. *
  585. *--------------- CAPACITANCES AND BODY DIODE ------------------------------
  586. *
  587. DBODY       11  8  DBODY
  588. DGD         11  3  DGD
  589. CGDMAX      2   3 4.5e-09
  590. RGDMAX      2   3 1e+08
  591. CGS         2   6 9e-10 
  592. *
  593. *--------------------------------------------------------------------------
  594. *
  595. *----------------------- CORE MOSFET --------------------------------------
  596. *
  597. M1       5  2  6  6  MAIN
  598. *
  599. *--------------------------------------------------------------------------
  600. *
  601. .MODEL MAIN PMOS  ( 
  602. +LEVEL   = 3
  603. +VTO     = -2.194
  604. +KP      = 14.71
  605. +GAMMA   = 0.8
  606. +PHI     = 0.6
  607. +LAMBDA  = 0.001
  608. +RD      = 0
  609. +RS      = 0
  610. +CBD     = 0
  611. +CBS     = 0
  612. +IS      = 1e-14
  613. +PB      = 0.8
  614. +CGSO    = 0
  615. +CGDO    = 0
  616. +CGBO    = 0
  617. +RSH     = 0
  618. +CJ      = 0
  619. +MJ      = 0.5
  620. +CJSW    = 0
  621. +MJSW    = 0.33
  622. +JS      = 1e-14
  623. +TOX     = 1e-07
  624. +NSUB    = 1e+15
  625. +NSS     = 0
  626. +NFS     = 2.5e+11
  627. +TPG     = 1
  628. +XJ      = 0
  629. +LD      = 0
  630. +UO      = 600
  631. +UCRIT   = 0
  632. +UEXP    = 0
  633. +UTRA    = 0
  634. +VMAX    = 0
  635. +NEFF    = 1
  636. +KF      = 0
  637. +AF      = 1
  638. +FC      = 0.5
  639. +DELTA   = 0
  640. +THETA   = 0
  641. +ETA     = 5000
  642. +KAPPA   = 0.2)
  643. *
  644. *--------------------------------------------------------------------------
  645. *
  646. .MODEL DGD D  ( 
  647. +IS      = 1e-15
  648. +RS      = 0
  649. +N       = 1000
  650. +TT      = 0
  651. +CJO     = 1.891e-09
  652. +VJ      = 0.3367
  653. +M       = 0.4348
  654. +EG      = 1.11
  655. +XTI     = 3
  656. +KF      = 0
  657. +AF      = 1
  658. +FC      = 0.5
  659. +BV      = 10000
  660. +IBV     = 0.001)
  661. *
  662. *--------------------------------------------------------------------------
  663. *
  664. .MODEL DBODY D  ( 
  665. +IS      = 1.533e-12
  666. +RS      = 0
  667. +N       = 1.029
  668. +TT      = 1e-12
  669. +CJO     = 1.571e-09
  670. +VJ      = 0.7699
  671. +M       = 0.3859
  672. +EG      = 1.11
  673. +XTI     = 4
  674. +KF      = 0
  675. +AF      = 1
  676. +FC      = 0.5
  677. +BV      = 28.91
  678. +IBV     = 0.00025)
  679. .ENDS
  680. ***** BERKLEY 3C.X, 3D.X AND HSPICE(tm) SIMULATORS ***************************
  681. **************************  INSTANTIATION   **********************************
  682. .subckt mmsf3p02hdC 10 20 30 
  683. *
  684. * 10 = Drain 20 = Gate 30 = Source
  685. *
  686. ******************************************************************************
  687. *
  688. *------------------------ EXTERNAL PARASITICS --------------------------------
  689. * PACKAGE INDUCTANCE
  690. *
  691. LDRAIN  10  11  7.5e-09
  692. LGATE   20  21  4.5e-09
  693. LSOURCE 30  31  4.5e-09
  694. *
  695. * RESISTANCES
  696. *
  697. RDRAIN1    4  11 0.04938 RDRAIN
  698. RDRAIN2    4   5 0.001 RDRAIN
  699. RSOURCE   31   6 0.01649 RSOURCE 
  700. RDBODY     8  30 0.166  RDBODY
  701. *
  702. RGATE      21   2 5
  703. *
  704. *--------------------------------------------------------------------------
  705. *
  706. *--------------- CAPACITANCES AND BODY DIODE ------------------------------
  707. *
  708. DBODY       11  8 DBODY
  709. DGD         11  3 DGD
  710. CGDMAX      2   3 4.5e-09
  711. RGDMAX      2   3 1e+08
  712. CGS         2   6 9e-10 
  713. *
  714. *--------------------------------------------------------------------------
  715. *
  716. *----------------------- CORE MOSFET --------------------------------------
  717. *
  718. M1       5  2  6  6  MAIN
  719. *
  720. *--------------------------------------------------------------------------
  721. *
  722. *.MODEL RDRAIN  R  (
  723. *+TC1     = -0.003993
  724. *+TC2     = 4.21478e-05)
  725. *
  726. *.MODEL RSOURCE  R  (
  727. *+TC1     = -0.0055
  728. *+TC2     = -1.73763e-05)
  729. *
  730. *.MODEL RDBODY  R  (
  731. *+TC1     = 0.01634
  732. *+TC2     = 0.00019925)
  733. *
  734. *
  735. .MODEL MAIN PMOS  ( 
  736. +LEVEL   = 3
  737. +VTO     = -2.194
  738. +KP      = 14.71
  739. +GAMMA   = 0.8
  740. +PHI     = 0.6
  741. +LAMBDA  = 0.001
  742. +RD      = 0
  743. +RS      = 0
  744. +CBD     = 0
  745. +CBS     = 0
  746. +IS      = 1e-14
  747. +PB      = 0.8
  748. +CGSO    = 0
  749. +CGDO    = 0
  750. +CGBO    = 0
  751. +RSH     = 0
  752. +CJ      = 0
  753. +MJ      = 0.5
  754. +CJSW    = 0
  755. +MJSW    = 0.33
  756. +JS      = 1e-14
  757. +TOX     = 1e-07
  758. +NSUB    = 1e+15
  759. +NSS     = 0
  760. +NFS     = 2.5e+11
  761. +TPG     = 1
  762. +XJ      = 0
  763. +LD      = 0
  764. +UO      = 600
  765. +UCRIT   = 0
  766. +UEXP    = 0
  767. +UTRA    = 0
  768. +VMAX    = 0
  769. +NEFF    = 1
  770. +KF      = 0
  771. +AF      = 1
  772. +FC      = 0.5
  773. +DELTA   = 0
  774. +THETA   = 0
  775. +ETA     = 5000
  776. +KAPPA   = 0.2)
  777. *
  778. *--------------------------------------------------------------------------
  779. *
  780. .MODEL DGD D  ( 
  781. +IS      = 1e-15
  782. +RS      = 0
  783. +N       = 1000
  784. +TT      = 0
  785. +CJO     = 1.891e-09
  786. +VJ      = 0.3367
  787. +M       = 0.4348
  788. +EG      = 1.11
  789. +XTI     = 3
  790. +KF      = 0
  791. +AF      = 1
  792. +FC      = 0.5
  793. +BV      = 10000
  794. +IBV     = 0.001)
  795. *
  796. *--------------------------------------------------------------------------
  797. *
  798. .MODEL DBODY D  ( 
  799. +IS      = 1.533e-12
  800. +RS      = 0
  801. +N       = 1.029
  802. +TT      = 1e-12
  803. +CJO     = 1.571e-09
  804. +VJ      = 0.7699
  805. +M       = 0.3859
  806. +EG      = 1.11
  807. +XTI     = 4
  808. +KF      = 0
  809. +AF      = 1
  810. +FC      = 0.5
  811. +BV      = 28.91
  812. +IBV     = 0.00025)
  813. .ENDS
  814. ***** MICROSIM PSPICE(tm) SIMULATORS *****************************************
  815. **************************  INSTANTIATION   **********************************
  816. .subckt mmsf3p02hdP 10 20 30 
  817. *
  818. * 10 = Drain 20 = Gate 30 = Source
  819. *
  820. ******************************************************************************
  821. *
  822. *------------------------ EXTERNAL PARASITICS --------------------------------
  823. * PACKAGE INDUCTANCE
  824. *
  825. LDRAIN  10  11  7.5e-09
  826. LGATE   20  21  4.5e-09
  827. LSOURCE 30  31  4.5e-09
  828. *
  829. * RESISTANCES
  830. *
  831. RDRAIN1    4  11 RDRAIN 0.04938
  832. RDRAIN2    4   5 RDRAIN 0.001
  833. RSOURCE   31   6 RSOURCE 0.01649  
  834. RDBODY     8  30 RDBODY  0.166
  835. *
  836. RGATE      21   2 5
  837. *
  838. *--------------------------------------------------------------------------
  839. *
  840. *--------------- CAPACITANCES AND BODY DIODE ------------------------------
  841. *
  842. DBODY       11  8 DBODY
  843. DGD         11  3 DGD
  844. CGDMAX      2   3 4.5e-09
  845. RGDMAX      2   3 1e+08
  846. CGS         2   6 9e-10 
  847. *
  848. *--------------------------------------------------------------------------
  849. *
  850. *----------------------- CORE MOSFET --------------------------------------
  851. *
  852. M1       5  2  6  6  MAIN
  853. *
  854. *--------------------------------------------------------------------------
  855. *
  856. .MODEL RDRAIN RES  (
  857. +TC1    = -0.003993
  858. +TC2    = 4.21478e-05)
  859. *
  860. .MODEL RSOURCE RES  (
  861. +TC1    = -0.0055
  862. +TC2    = -1.73763e-05)
  863. *
  864. .MODEL RDBODY RES  (
  865. +TC1    = 0.01634
  866. +TC2    = 0.00019925)
  867. *
  868. *
  869. .MODEL MAIN PMOS  ( 
  870. +LEVEL   = 3
  871. +VTO     = -2.194
  872. +KP      = 14.71
  873. +GAMMA   = 0.8
  874. +PHI     = 0.6
  875. +LAMBDA  = 0.001
  876. +RD      = 0
  877. +RS      = 0
  878. +CBD     = 0
  879. +CBS     = 0
  880. +IS      = 1e-14
  881. +PB      = 0.8
  882. +CGSO    = 0
  883. +CGDO    = 0
  884. +CGBO    = 0
  885. +RSH     = 0
  886. +CJ      = 0
  887. +MJ      = 0.5
  888. +CJSW    = 0
  889. +MJSW    = 0.33
  890. +JS      = 1e-14
  891. +TOX     = 1e-07
  892. +NSUB    = 1e+15
  893. +NSS     = 0
  894. +NFS     = 2.5e+11
  895. +TPG     = 1
  896. +XJ      = 0
  897. +LD      = 0
  898. +UO      = 600
  899. +UCRIT   = 0
  900. +UEXP    = 0
  901. +UTRA    = 0
  902. +VMAX    = 0
  903. +NEFF    = 1
  904. +KF      = 0
  905. +AF      = 1
  906. +FC      = 0.5
  907. +DELTA   = 0
  908. +THETA   = 0
  909. +ETA     = 5000
  910. +KAPPA   = 0.2)
  911. *
  912. *--------------------------------------------------------------------------
  913. *
  914. .MODEL DGD D  ( 
  915. +IS      = 1e-15
  916. +RS      = 0
  917. +N       = 1000
  918. +TT      = 0
  919. +CJO     = 1.891e-09
  920. +VJ      = 0.3367
  921. +M       = 0.4348
  922. +EG      = 1.11
  923. +XTI     = 3
  924. +KF      = 0
  925. +AF      = 1
  926. +FC      = 0.5
  927. +BV      = 10000
  928. +IBV     = 0.001)
  929. *
  930. *--------------------------------------------------------------------------
  931. *
  932. .MODEL DBODY D  ( 
  933. +IS      = 1.533e-12
  934. +RS      = 0
  935. +N       = 1.029
  936. +TT      = 1e-12
  937. +CJO     = 1.571e-09
  938. +VJ      = 0.7699
  939. +M       = 0.3859
  940. +EG      = 1.11
  941. +XTI     = 4
  942. +KF      = 0
  943. +AF      = 1
  944. +FC      = 0.5
  945. +BV      = 28.91
  946. +IBV     = 0.00025)
  947. .ENDS
  952. *******************************************************************************
  953. *                                                                             *
  954. *                                                                             *
  955. *                                                                             *
  956. *        #############################################################        *
  957. *        #                                                           #        *
  958. *        #                         MTD2955E                          #        *
  959. *        #                                                           #        *
  960. *        #                 Motorola TMOS Power FET                   #        *
  961. *        #                        12 AMPERES                         #        *
  962. *        #                         60 VOLTS                          #        *
  963. *        #                     RDS(on) = .3 OHMS                     #        *
  964. *        #                      Package = D-PAK                      #        * 
  965. *        #                                                           #        *
  966. *        #               This model was developed by                 #        *
  967. *        #                      Analogy, Inc.                        #        *
  968. *        #                    9205 SW Gemini Dr.                     #        *
  969. *        #                   Beaverton, OR  97005                    #        *
  970. *        #               Copyright 1994 Analogy, Inc.                #        *
  971. *        #                  All Rights Reserved                      #        *
  972. *        #                                                           #        *
  973. *        #    The content of this model is subject to change         #        *
  974. *        #    without notice and may not be modified or altered      #        *
  975. *        #    without permission from Motorola, Inc.  This model     #        *
  976. *        #    has been carefully checked and is believed to be       #        *
  977. *        #    accurate, however neither Analogy nor Motorola         #        *
  978. *        #    assume liability for the use of this model or the      #        *
  979. *        #    results obtained from using it.                        #        *
  980. *        #                                                           #        *
  981. *        #    For more information regarding modeling services,      #        *
  982. *        #    model libraries or simulation products, please         #        *
  983. *        #    Analogy, Inc. (503) 626-9700.                          #        *
  984. *        #                                                           #        *
  985. *        #############################################################        *
  986. *                                                                             *
  987. *                                                                             *
  988. *                                                                             *
  989. *******************************************************************************
  990. * There are four simulation models provided on this disk for the MTD2955E 
  991. * power mosfet.  Three of the models are for use with SPICE based simulators 
  992. * and the fourth model is for use with the SABER(TM) simulator from Analogy.
  993. *
  994. * The three SPICE models have identical parameter values and model structure 
  995. * however the syntax is slightly modified in each model to support a variety 
  996. * of SPICE simulators. The SPICE model is based on the available elements 
  997. * in SPICE based electrical simulators and may have limited accuracy and 
  998. * convergence capabilities due to fundamental limitations in SPICE based 
  999. * simulators. Specifically, this model DOES NOT produce an accurate prediction 
  1000. * of some non-linear capacitance effects, non-linear leakage characteristics, 
  1001. * soft-knee breakdown, weak inversion characteristics, body diode forward and 
  1002. * reverse recovery  mechanisms, and maximum device ratings.
  1003. *
  1004. * The SABER model is a more accurate model that includes all non-linear 
  1005. * capacitances, non-linear leakage characteristics, soft-knee breakdown, weak 
  1006. * inversion characteristics, body diode forward and reverse recovery mechanisms, 
  1007. * and maximum stress ratings. The model is available for use with the SABER(tm) 
  1008. * simulator from Analogy and is written in MAST(tm), an Analog Hardware 
  1009. * Description Language (AHDL). The SABER model is well suited for power circuit 
  1010. * simulation. 
  1011. ********************************************************************************
  1012. *
  1013. ********************************************************************************
  1014. *
  1015. * The model for this device is a subcircuit and can be used in the one of the
  1016. * following formats in any spice compatible simulator.
  1017. *
  1018. * This model file contains 3 subcircuits with correct syntax for SPICE2G.6, 
  1019. * SPICE3C/D.X, HSPICE(tm) and PSPICE(tm). The user must call the proper subcircuit
  1020. * in their netlist depending on the simulator they are using, e.g.:
  1021. *
  1022. * X<name> Nodes<N1, N2, N3> Model_Name
  1023. *
  1024. * where X<name> is the circuit specific name, Nodes<N1, N2, N3> are the
  1025. * connection points for the device and Model_Name is the name of the model
  1026. * provided in this model file.
  1027. *
  1028. * There are 3 nodes for this device.
  1029. * The first is the Drain, the second is the Gate, and the third is the Source.
  1030. * The Model_Name is: mtd2955eG for Berkley 2G.6 and compatible simulators.
  1031. *                    mtd2955eD for Berkley 3C.X, 3D.X and HSPICE(tm) simulators.
  1032. *                    mtd2955eP for Microsim PSPICE(tm) simulator. 
  1033. * Example: X1 1 2 3 mtd2955eX
  1034. * 
  1035. ******* BERKLEY 2G.6 AND COMPATIBLE SIMULATORS *****************************
  1036. **************************  INSTANTIATION   **********************************
  1037. .subckt mtd2955eG  10 20 30 
  1038. *
  1039. * 10 = Drain 20 = Gate 30 = Source
  1040. *
  1041. ******************************************************************************
  1042. *
  1043. *------------------------ EXTERNAL PARASITICS --------------------------------
  1044. * PACKAGE INDUCTANCE
  1045. *
  1046. LDRAIN  10  11  4.5e-09
  1047. LGATE   20  21  7.5e-09
  1048. LSOURCE 30  31  7.5e-09
  1049. *
  1050. * RESISTANCES
  1051. * 
  1052. RDRAIN1    4  11 0.1045 TC=0.00921634,1.12425e-05
  1053. RDRAIN2    4   5 0.01 TC=0.00921634,1.12425e-05 
  1054. RSOURCE   31   6 0.095 TC=-0.000556269,1.04366e-06
  1055. RDBODY     8  30 0.1269  TC=-0.00884122,3.75025e-05
  1056. *
  1057. RGATE      21   2 5
  1058. *
  1059. *--------------------------------------------------------------------------
  1060. *
  1061. *--------------- CAPACITANCES AND BODY DIODE ------------------------------
  1062. *
  1063. DBODY       11  8  DBODY
  1064. DGD         11  3  DGD
  1065. CGDMAX      2   3 3.3e-09
  1066. RGDMAX      2   3 1e+08
  1067. CGS         2   6 5.38e-10 
  1068. *
  1069. *--------------------------------------------------------------------------
  1070. *
  1071. *----------------------- CORE MOSFET --------------------------------------
  1072. *
  1073. M1       5  2  6  6  MAIN
  1074. *
  1075. *--------------------------------------------------------------------------
  1076. *
  1077. .MODEL MAIN PMOS  ( 
  1078. +LEVEL   = 3
  1079. +VTO     = -3.72
  1080. +KP      = 6.3
  1081. +GAMMA   = 1.5
  1082. +PHI     = 0.6
  1083. +LAMBDA  = 0
  1084. +RD      = 0
  1085. +RS      = 0
  1086. +CBD     = 0
  1087. +CBS     = 0
  1088. +IS      = 1e-14
  1089. +PB      = 0.8
  1090. +CGSO    = 0
  1091. +CGDO    = 0
  1092. +CGBO    = 0
  1093. +RSH     = 0
  1094. +CJ      = 0
  1095. +MJ      = 0.5
  1096. +CJSW    = 0
  1097. +MJSW    = 0.33
  1098. +JS      = 1e-14
  1099. +TOX     = 1e-07
  1100. +NSUB    = 1e+15
  1101. +NSS     = 0
  1102. +NFS     = 6.326e+11
  1103. +TPG     = 1
  1104. +XJ      = 0
  1105. +LD      = 0
  1106. +UO      = 600
  1107. +UCRIT   = 1000
  1108. +UEXP    = 0
  1109. +UTRA    = 0
  1110. +VMAX    = 0
  1111. +NEFF    = 1
  1112. +KF      = 0
  1113. +AF      = 1
  1114. +FC      = 0.5
  1115. +DELTA   = 0
  1116. +THETA   = 0
  1117. +ETA     = 0
  1118. +KAPPA   = 0.2)
  1119. *
  1120. *--------------------------------------------------------------------------
  1121. *
  1122. .MODEL DGD D  ( 
  1123. +IS      = 1e-15
  1124. +RS      = 0
  1125. +N       = 1000
  1126. +TT      = 0
  1127. +CJO     = 2.75581e-10
  1128. +VJ      = 1.45842
  1129. +M       = 0.657579
  1130. +EG      = 1.11
  1131. +XTI     = 3
  1132. +KF      = 0
  1133. +AF      = 1
  1134. +FC      = 0.5
  1135. +BV      = 10000
  1136. +IBV     = 0.001)
  1137. *
  1138. *--------------------------------------------------------------------------
  1139. *
  1140. .MODEL DBODY D  ( 
  1141. +IS      = 1.12093e-12
  1142. +RS      = 0
  1143. +N       = 1.05243
  1144. +TT      = 1.2e-07
  1145. +CJO     = 8.78927e-10
  1146. +VJ      = 0.821526
  1147. +M       = 0.421618
  1148. +EG      = 1.11
  1149. +XTI     = 4
  1150. +KF      = 0
  1151. +AF      = 1
  1152. +FC      = 0.5
  1153. +BV      = 74.2776
  1154. +IBV     = 0.00025)
  1155. .ENDS
  1156. ***** BERKLEY 3C.X, 3D.X AND HSPICE(tm) SIMULATORS ***************************
  1157. **************************  INSTANTIATION   **********************************
  1158. .subckt mtd2955eC 10 20 30 
  1159. *
  1160. * 10 = Drain 20 = Gate 30 = Source
  1161. *
  1162. ******************************************************************************
  1163. *
  1164. *------------------------ EXTERNAL PARASITICS --------------------------------
  1165. * PACKAGE INDUCTANCE
  1166. *
  1167. LDRAIN  10  11  4.5e-09
  1168. LGATE   20  21  7.5e-09
  1169. LSOURCE 30  31  7.5e-09
  1170. *
  1171. * RESISTANCES
  1172. *
  1173. RDRAIN1    4  11 0.1045 RDRAIN
  1174. RDRAIN2    4   5 0.01 RDRAIN
  1175. RSOURCE   31   6 0.095 RSOURCE 
  1176. RDBODY     8  30 0.1269  RDBODY
  1177. *
  1178. RGATE      21   2 5
  1179. *
  1180. *--------------------------------------------------------------------------
  1181. *
  1182. *--------------- CAPACITANCES AND BODY DIODE ------------------------------
  1183. *
  1184. DBODY       11  8 DBODY
  1185. DGD         11  3 DGD
  1186. CGDMAX      2   3 3.3e-09
  1187. RGDMAX      2   3 1e+08
  1188. CGS         2   6 5.38e-10 
  1189. *
  1190. *--------------------------------------------------------------------------
  1191. *
  1192. *----------------------- CORE MOSFET --------------------------------------
  1193. *
  1194. M1       5  2  6  6  MAIN
  1195. *
  1196. *--------------------------------------------------------------------------
  1197. *
  1198. *.MODEL RDRAIN  R  (
  1199. *+TC1     = 0.00921634
  1200. *+TC2     = 1.12425e-05)
  1201. *
  1202. *.MODEL RSOURCE  R  (
  1203. *+TC1     = -0.000556269
  1204. *+TC2     = 1.04366e-06)
  1205. *
  1206. *.MODEL RDBODY  R  (
  1207. *+TC1     = -0.00884122
  1208. *+TC2     = 3.75025e-05)
  1209. *
  1210. *
  1211. .MODEL MAIN PMOS  ( 
  1212. +LEVEL   = 3
  1213. +VTO     = -3.72
  1214. +KP      = 6.3
  1215. +GAMMA   = 1.5
  1216. +PHI     = 0.6
  1217. +LAMBDA  = 0
  1218. +RD      = 0
  1219. +RS      = 0
  1220. +CBD     = 0
  1221. +CBS     = 0
  1222. +IS      = 1e-14
  1223. +PB      = 0.8
  1224. +CGSO    = 0
  1225. +CGDO    = 0
  1226. +CGBO    = 0
  1227. +RSH     = 0
  1228. +CJ      = 0
  1229. +MJ      = 0.5
  1230. +CJSW    = 0
  1231. +MJSW    = 0.33
  1232. +JS      = 1e-14
  1233. +TOX     = 1e-07
  1234. +NSUB    = 1e+15
  1235. +NSS     = 0
  1236. +NFS     = 6.326e+11
  1237. +TPG     = 1
  1238. +XJ      = 0
  1239. +LD      = 0
  1240. +UO      = 600
  1241. +UCRIT   = 1000
  1242. +UEXP    = 0
  1243. +UTRA    = 0
  1244. +VMAX    = 0
  1245. +NEFF    = 1
  1246. +KF      = 0
  1247. +AF      = 1
  1248. +FC      = 0.5
  1249. +DELTA   = 0
  1250. +THETA   = 0
  1251. +ETA     = 0
  1252. +KAPPA   = 0.2)
  1253. *
  1254. *--------------------------------------------------------------------------
  1255. *
  1256. .MODEL DGD D  ( 
  1257. +IS      = 1e-15
  1258. +RS      = 0
  1259. +N       = 1000
  1260. +TT      = 0
  1261. +CJO     = 2.75581e-10
  1262. +VJ      = 1.45842
  1263. +M       = 0.657579
  1264. +EG      = 1.11
  1265. +XTI     = 3
  1266. +KF      = 0
  1267. +AF      = 1
  1268. +FC      = 0.5
  1269. +BV      = 10000
  1270. +IBV     = 0.001)
  1271. *
  1272. *--------------------------------------------------------------------------
  1273. *
  1274. .MODEL DBODY D  ( 
  1275. +IS      = 1.12093e-12
  1276. +RS      = 0
  1277. +N       = 1.05243
  1278. +TT      = 1.2e-07
  1279. +CJO     = 8.78927e-10
  1280. +VJ      = 0.821526
  1281. +M       = 0.421618
  1282. +EG      = 1.11
  1283. +XTI     = 4
  1284. +KF      = 0
  1285. +AF      = 1
  1286. +FC      = 0.5
  1287. +BV      = 74.2776
  1288. +IBV     = 0.00025)
  1289. .ENDS
  1290. ***** MICROSIM PSPICE(tm) SIMULATORS *****************************************
  1291. **************************  INSTANTIATION   **********************************
  1292. .subckt mtd2955eP 10 20 30 
  1293. *
  1294. * 10 = Drain 20 = Gate 30 = Source
  1295. *
  1296. ******************************************************************************
  1297. *
  1298. *------------------------ EXTERNAL PARASITICS --------------------------------
  1299. * PACKAGE INDUCTANCE
  1300. *
  1301. LDRAIN  10  11  4.5e-09
  1302. LGATE   20  21  7.5e-09
  1303. LSOURCE 30  31  7.5e-09
  1304. *
  1305. * RESISTANCES
  1306. *
  1307. RDRAIN1    4  11 RDRAIN 0.1045
  1308. RDRAIN2    4   5 RDRAIN 0.01
  1309. RSOURCE   31   6 RSOURCE 0.095  
  1310. RDBODY     8  30 RDBODY  0.1269
  1311. *
  1312. RGATE      21   2 5
  1313. *
  1314. *--------------------------------------------------------------------------
  1315. *
  1316. *--------------- CAPACITANCES AND BODY DIODE ------------------------------
  1317. *
  1318. DBODY       11  8 DBODY
  1319. DGD         11  3 DGD
  1320. CGDMAX      2   3 3.3e-09
  1321. RGDMAX      2   3 1e+08
  1322. CGS         2   6 5.38e-10 
  1323. *
  1324. *--------------------------------------------------------------------------
  1325. *
  1326. *----------------------- CORE MOSFET --------------------------------------
  1327. *
  1328. M1       5  2  6  6  MAIN
  1329. *
  1330. *--------------------------------------------------------------------------
  1331. *
  1332. .MODEL RDRAIN RES  (
  1333. +TC1    = 0.00921634
  1334. +TC2    = 1.12425e-05)
  1335. *
  1336. .MODEL RSOURCE RES  (
  1337. +TC1    = -0.000556269
  1338. +TC2    = 1.04366e-06)
  1339. *
  1340. .MODEL RDBODY RES  (
  1341. +TC1    = -0.00884122
  1342. +TC2    = 3.75025e-05)
  1343. *
  1344. *
  1345. .MODEL MAIN PMOS  ( 
  1346. +LEVEL   = 3
  1347. +VTO     = -3.72
  1348. +KP      = 6.3
  1349. +GAMMA   = 1.5
  1350. +PHI     = 0.6
  1351. +LAMBDA  = 0
  1352. +RD      = 0
  1353. +RS      = 0
  1354. +CBD     = 0
  1355. +CBS     = 0
  1356. +IS      = 1e-14
  1357. +PB      = 0.8
  1358. +CGSO    = 0
  1359. +CGDO    = 0
  1360. +CGBO    = 0
  1361. +RSH     = 0
  1362. +CJ      = 0
  1363. +MJ      = 0.5
  1364. +CJSW    = 0
  1365. +MJSW    = 0.33
  1366. +JS      = 1e-14
  1367. +TOX     = 1e-07
  1368. +NSUB    = 1e+15
  1369. +NSS     = 0
  1370. +NFS     = 6.326e+11
  1371. +TPG     = 1
  1372. +XJ      = 0
  1373. +LD      = 0
  1374. +UO      = 600
  1375. +UCRIT   = 1000
  1376. +UEXP    = 0
  1377. +UTRA    = 0
  1378. +VMAX    = 0
  1379. +NEFF    = 1
  1380. +KF      = 0
  1381. +AF      = 1
  1382. +FC      = 0.5
  1383. +DELTA   = 0
  1384. +THETA   = 0
  1385. +ETA     = 0
  1386. +KAPPA   = 0.2)
  1387. *
  1388. *--------------------------------------------------------------------------
  1389. *
  1390. .MODEL DGD D  ( 
  1391. +IS      = 1e-15
  1392. +RS      = 0
  1393. +N       = 1000
  1394. +TT      = 0
  1395. +CJO     = 2.75581e-10
  1396. +VJ      = 1.45842
  1397. +M       = 0.657579
  1398. +EG      = 1.11
  1399. +XTI     = 3
  1400. +KF      = 0
  1401. +AF      = 1
  1402. +FC      = 0.5
  1403. +BV      = 10000
  1404. +IBV     = 0.001)
  1405. *
  1406. *--------------------------------------------------------------------------
  1407. *
  1408. .MODEL DBODY D  ( 
  1409. +IS      = 1.12093e-12
  1410. +RS      = 0
  1411. +N       = 1.05243
  1412. +TT      = 1.2e-07
  1413. +CJO     = 8.78927e-10
  1414. +VJ      = 0.821526
  1415. +M       = 0.421618
  1416. +EG      = 1.11
  1417. +XTI     = 4
  1418. +KF      = 0
  1419. +AF      = 1
  1420. +FC      = 0.5
  1421. +BV      = 74.2776
  1422. +IBV     = 0.00025)
  1423. .ENDS
  1426. ***************************************************
  1427. *          TMOS.LIB VERSION 2.0    Thursday, 21 December 1989
  1428. ***************************************************
  1429. *
  1430. *     MOTOROLA/LAAS LIBRARY FOR MOTOROLA POWER MOSFET
  1431. *                      (TMOS) SPICE  MODEL
  1432. *
  1433. *           USING SWITCHES FOR THE CGD CAPACITOR
  1434. *
  1435. *       DEVELOPED BY LAAS / MOTOROLA TOULOUSE 1989
  1436. *
  1437. *         COPYING THIS LIBRARY IS WELCOMED AND ENCOURAGED,
  1438. *                      BUT IT IS NOT FOR COMMERCIAL USE
  1439. *
  1440. ***************************************************
  1441. *Motorola reserves the right to make changes without further
  1442. *notice to any products herein to improve reliability, function or
  1443. *design.  Motorola does not assume any liability arising out of the
  1444. *application or use of any product or circuit described herein;
  1445. *neither does it convey any license under its patent rights nor the
  1446. *rights of others.  Motorola products are not authorized for use as
  1447. *components in life support devices or systems intended for
  1448. *surgical implant into the body or intended to support or sustain
  1449. *life.  Buyer agrees to notify Motorola of any such intended end
  1450. *use whereupon Motorola shall determine availability and suitability
  1451. *or its product or products for the use intended.  Motorola is a
  1452. *registered trademark of Motorola, Inc.  Motorola, Inc. is an Equal
  1453. *Employment Opportunity/Affirmative Action Employer.
  1454. ***************************************************
  1455. *
  1456. *-------------------------------------------------------------
  1457. *
  1458. *MTP12P10 model created using LAAS version
  1459. *
  1460. *            TMOS MODEL WITH SWITCHES  (SUBCIRCUIT)
  1461. *
  1462. .SUBCKT MTP12P10 10 20 30
  1463. RG 10 1 20
  1464. M1 2 1 3 3 DMOS L=1U W=1U
  1465. .MODEL DMOS PMOS (VTO=-3.58 KP=2 THETA=0.058 VMAX=5E6 LEVEL=3)
  1466. CGS 1 3 575P
  1467. RD 20 4 0.17
  1468. DDS 4 3 DDS
  1469. .MODEL DDS D(BV=100 M=0.37 CJO=949P VJ=0.609)
  1470. DBODY 20 3 DBODY
  1471. .MODEL DBODY D(IS=1.6E-12 N=1.08 RS=0.068 TT=0.10U)
  1472. RA 4 2 1E-3
  1473. RS 3 5 1M
  1474. LS 5 30 5N
  1475. M2 1 8 6 6 INTER
  1476. E2 8 6 4 1 2
  1477. .MODEL INTER PMOS (VTO=0 KP=10 LEVEL=1)
  1478. CGDMAX 7 4 1450P
  1479. RCGD 7 4 1E7
  1480. DGD 4 6 DGD
  1481. RDGD 4 6 1E7
  1482. .MODEL DGD D(M=0.39 CJO=1450P VJ=0.03)
  1483. M3 7 9 1 1 INTER
  1484. E3 9 1 4 1 -2
  1485. .ENDS
  1486. *
  1487. *               END OF SUBCIRCUIT
  1488. *-------------------------------------------------------------
  1489. *
  1490. *MTP2P50 model created using LAAS version
  1491. *
  1492. *            TMOS MODEL WITH SWITCHES  (SUBCIRCUIT)
  1493. *
  1494. .SUBCKT MTP2P50 10 20 30
  1495. RG 10 1 20
  1496. M1 2 1 3 3 DMOS L=1U W=1U
  1497. .MODEL DMOS PMOS (VTO=-3.95 KP=0.421 THETA=0.058 VMAX=5E6 LEVEL=3)
  1498. CGS 1 3 520P
  1499. RD 20 4 6.883
  1500. DDS 4 3 DDS
  1501. .MODEL DDS D(BV=500 M=0.45 CJO=400P VJ=0.037)
  1502. DBODY 20 3 DBODY
  1503. .MODEL DBODY D(IS=5E-11 N=1.12 RS=0.143 TT=1U)
  1504. RA 4 2 1E-3
  1505. RS 3 5 1M
  1506. LS 5 30 5N
  1507. M2 1 8 6 6 INTER
  1508. E2 8 6 4 1 2
  1509. .MODEL INTER PMOS (VTO=0 KP=10 LEVEL=1)
  1510. CGDMAX 7 4 1730P
  1511. RCGD 7 4 1E7
  1512. DGD 4 6 DGD
  1513. RDGD 4 6 1E7
  1514. .MODEL DGD D(M=0.418 CJO=1730P VJ=2.2E-3)
  1515. M3 7 9 1 1 INTER
  1516. E3 9 1 4 1 -2
  1517. .ENDS
  1518. *
  1519. *               END OF SUBCIRCUIT
  1520. * -----------------------------------------------------
  1521. *MTD4P06 model created using LAAS version.
  1522. *
  1523. *           TMOS MODEL WITH SWITCHES (SUBCIRCUIT)
  1524. *
  1525. .SUBCKT MTD4P06 10 20 30
  1526. RG 10 1 1
  1527. M1 2 1 3 3 DMOS L=1U W=1U
  1528. .MODEL DMOS PMOS (VTO=-4 KP=1.52 THETA=0.04 VMAX=3.5E5 LEVEL=3)
  1529. CGS 1 3 650P
  1530. RD 20 4 0.32
  1531. DDS 4 3 DDS
  1532. .MODEL DDS D(BV=60 M=0.4 CJO=685.5P VJ=0.657)
  1533. DBODY 20 3 DBODY
  1534. .MODEL DBODY D(IS=6.4E-13 N=1.03 RS=0.167 TT=190N)
  1535. RA 4 2 1E-3
  1536. RS 3 5 1M
  1537. LS 5 30 6N
  1538. M2 1 8 6 6 INTER
  1539. E2 8 6 4 1 2
  1540. .MODEL INTER PMOS (VTO=0 KP=10 LEVEL=1)
  1541. CGDMAX 7 4 750P
  1542. RCGD 7 4 1E7
  1543. DGD 4 6 DGD
  1544. RDGD 4 6 1E7
  1545. .MODEL DGD D(M=0.44 CJO=750P VJ=0.11)
  1546. M3 7 9 1 1 INTER
  1547. E3 9 1 4 1 -2
  1548. .ENDS
  1549. *
  1550. *             END OF SUBCIRCUIT
  1551. * -------------------------------------------------------
  1552. *MTD2955 model created using LAAS version.
  1553. *
  1554. *           TMOS MODEL WITH SWITCHES (SUBCIRCUIT)
  1555. *
  1556. .SUBCKT MTD2955 10 20 30
  1557. RG 10 1 1
  1558. M1 2 1 3 3 DMOS L=1U W=1U
  1559. .MODEL DMOS PMOS (VTO=-2.95 KP=2.45 THETA=0.04 VMAX=4E5 LEVEL=3)
  1560. CGS 1 3 600P
  1561. RD 20 4 0.175
  1562. DDS 4 3 DDS
  1563. .MODEL DDS D(BV=60 M=0.43 CJO=740P VJ=0.826)
  1564. DBODY 20 3 DBODY
  1565. .MODEL DBODY D(IS=5.6E-13 N=1.04 RS=0.16 TT=400N)
  1566. RA 4 2 1E-3
  1567. RS 3 5 1M
  1568. LS 5 30 5N
  1569. M2 1 8 6 6 INTER
  1570. E2 8 6 4 1 2
  1571. .MODEL INTER PMOS (VTO=0 KP=10 LEVEL=1)
  1572. CGDMAX 7 4 2300P
  1573. RCGD 7 4 1E7
  1574. DGD 4 6 DGD
  1575. RDGD 4 6 1E7
  1576. .MODEL DGD D(M=0.43 CJO=2300P VJ=0.028)
  1577. M3 7 9 1 1 INTER
  1578. E3 9 1 4 1 -2
  1579. .ENDS
  1580. *
  1581. *             END OF SUBCIRCUIT
  1582. * -----------------------------------------------------
  1583. *MTP20P06 model created using LAAS version.
  1584. *
  1585. *           TMOS MODEL WITH SWITCHES (SUBCIRCUIT)
  1586. *
  1587. .SUBCKT MTP20P06 10 20 30
  1588. RG 10 1 1
  1589. M1 2 1 3 3 DMOS L=1U W=1U
  1590. .MODEL DMOS PMOS (VTO=-3.97 KP=3.23 THETA=0.04 VMAX=3E5 LEVEL=3)
  1591. CGS 1 3 1400P
  1592. RD 20 4 0.09
  1593. DDS 4 3 DDS
  1594. .MODEL DDS D(BV=60 M=0.43 CJO=1614P VJ=0.792)
  1595. DBODY 20 3 DBODY
  1596. .MODEL DBODY D(IS=1.3E-12 N=1.02 RS=0.068 TT=520N)
  1597. RA 4 2 1E-3
  1598. RS 3 5 1M
  1599. LS 5 30 5N
  1600. M2 1 8 6 6 INTER
  1601. E2 8 6 4 1 2
  1602. .MODEL INTER PMOS (VTO=0 KP=10 LEVEL=1)
  1603. CGDMAX 7 4 2450P
  1604. RCGD 7 4 1E7
  1605. DGD 4 6 DGD
  1606. RDGD 4 6 1E7
  1607. .MODEL DGD D(M=0.44 CJO=2450P VJ=0.105)
  1608. M3 7 9 1 1 INTER
  1609. E3 9 1 4 1 -2
  1610. .ENDS
  1611. *
  1612. *             END OF SUBCIRCUIT
  1613. * ---------------------------------------------------
  1614. *MTP8P10 model created using LAAS version.
  1615. *
  1616. *           TMOS MODEL WITH SWITCHES (SUBCIRCUIT)
  1617. *
  1618. .SUBCKT MTP8P10 10 20 30
  1619. RG 10 1 1
  1620. M1 2 1 3 3 DMOS L=1U W=1U
  1621. .MODEL DMOS PMOS (VTO=-3.87 KP=2.04 THETA=0.04 VMAX=3.5E5 LEVEL=3)
  1622. CGS 1 3 750P
  1623. RD 20 4 0.19
  1624. DDS 4 3 DDS
  1625. .MODEL DDS D(BV=100 M=0.4 CJO=974P VJ=0.583)
  1626. DBODY 20 3 DBODY
  1627. .MODEL DBODY D(IS=6E-13 N=1.02 RS=0.31 TT=640N)
  1628. RA 4 2 1E-3
  1629. RS 3 5 1M
  1630. LS 5 30 6N
  1631. M2 1 8 6 6 INTER
  1632. E2 8 6 4 1 2
  1633. .MODEL INTER PMOS (VTO=0 KP=10 LEVEL=1)
  1634. CGDMAX 7 4 1700P
  1635. RCGD 7 4 1E7
  1636. DGD 4 6 DGD
  1637. RDGD 4 6 1E7
  1638. .MODEL DGD D(M=0.47 CJO=1700P VJ=0.074)
  1639. M3 7 9 1 1 INTER
  1640. E3 9 1 4 1 -2
  1641. .ENDS
  1642. *
  1643. *             END OF SUBCIRCUIT
  1644. * ---------------------------------------------------------