开通博客赚积分
发布资源赚积分
分类

源码开发语言/平台
当前位置：首页 > 源码/资料 > 多国语言处理 > 查看源码
PHILIPS.LIB
资源名称：ewb50.rar　[点击查看]
上传用户：hpy2008
上传日期：2008-06-23
资源大小：2967k
文件大小：17k
源码类别：

多国语言处理

开发平台：

Windows_Unix

PHILIPS.LIB：源码内容
  1. *   BF904 SPICE MODEL OCTOBER 1993 PHILIPS SEMICONDUCTORS
  2. *   ENVELOPE    SOT143 
  3. *   1.: SOURCE;  2.: DRAIN;  3.: GATE 2;  4.: GATE 1;
  4. .SUBCKT BF904 1 2 3 4
  5.         L10          1 10   L=0.12N
  6.         L20          2 20   L=0.12N
  7.         L30          3 30   L=0.12N
  8.         L40          4 40   L=0.12N
  9.         L11         10 11   L=1.20N
  10.         L21         20 21   L=1.20N
  11.         L31         30 31   L=1.20N
  12.         L41         40 41   L=1.20N
  13.         C13         10 30   C=0.085P
  14.         C14         10 40   C=0.085P
  15.         C21         10 20   C=0.017P
  16.         C23         20 30   C=0.085P
  17.         C24         20 40   C=0.005P
  18.         D11         11 41   ZENER
  19.         D22         11 31   ZENER
  20.         RSUB        10 12   R=10
  21.         MOS1A       61 41 11 12 GATE1 L=1.1E-6 W=1150E-6
  22.         MOS2A       21 31 61 12 GATE2 L=2.0E-6 W=1150E-6
  23.         MOS1B       71 41 11 12 GATE3 L=1.1E-6 W=   6E-6
  24.         MOS2B       41 31 71 12 GATE4 L=4.0E-6 W=   6E-6
  26. .MODEL  ZENER
  27. +  D  BV=10 CJO=0.6E-12  RS=10
  29. .MODEL  GATE1
  30. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  31. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  32. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  33. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  35. .MODEL  GATE2
  36. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  37. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  38. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  39. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=1.5E-12 CBS=0.5E-12
  41. .MODEL  GATE3
  42. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  43. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  44. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  45. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  47. .MODEL  GATE4
  48. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  49. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  50. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  51. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  53. .ENDS BF904
  54. *   BF904R SPICE MODEL OCTOBER 1993 PHILIPS SEMICONDUCTORS
  55. *   ENVELOPE    SOT143R 
  56. *   1.: SOURCE;  2.: DRAIN;  3.: GATE 2;  4.: GATE 1;
  57. .SUBCKT BF904R 1 2 3 4
  58.         L10          1 10   L=0.12N
  59.         L20          2 20   L=0.12N
  60.         L30          3 30   L=0.12N
  61.         L40          4 40   L=0.12N
  62.         L11         10 11   L=1.20N
  63.         L21         20 21   L=1.20N
  64.         L31         30 31   L=1.20N
  65.         L41         40 41   L=1.20N
  66.         C13         10 30   C=0.085P
  67.         C14         10 40   C=0.085P
  68.         C21         10 20   C=0.017P
  69.         C23         20 30   C=0.085P
  70.         C24         20 40   C=0.005P
  71.         D11         11 41   ZENER
  72.         D22         11 31   ZENER
  73.         RSUB        10 12   R=10
  74.         MOS1A       61 41 11 12 GATE1 L=1.1E-6 W=1150E-6
  75.         MOS2A       21 31 61 12 GATE2 L=2.0E-6 W=1150E-6
  76.         MOS1B       71 41 11 12 GATE3 L=1.1E-6 W=   6E-6
  77.         MOS2B       41 31 71 12 GATE4 L=4.0E-6 W=   6E-6
  79. .MODEL  ZENER
  80. +  D  BV=10 CJO=0.6E-12  RS=10
  82. .MODEL  GATE1
  83. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  84. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  85. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  86. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  88. .MODEL  GATE2
  89. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  90. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  91. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  92. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=1.5E-12 CBS=0.5E-12
  94. .MODEL  GATE3
  95. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  96. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  97. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  98. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  100. .MODEL  GATE4
  101. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  102. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  103. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  104. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  106. .ENDS BF904R
  107. *   BF904WR SPICE MODEL OCTOBER 1993 PHILIPS SEMICONDUCTORS
  108. *   ENVELOPE    SOT343 
  109. *   1.: SOURCE;  2.: DRAIN;  3.: GATE 2;  4.: GATE 1;
  110. .SUBCKT BF904WR 1 2 3 4
  111.         L10          1 10   L=0.10N
  112.         L20          2 20   L=0.34N
  113.         L30          3 30   L=0.34N
  114.         L40          4 40   L=0.34N
  115.         L11         10 11   L=1.10N
  116.         L21         20 21   L=1.10N
  117.         L31         30 31   L=1.10N
  118.         L41         40 41   L=1.10N
  119.         C13         10 30   C=0.060P
  120.         C14         10 40   C=0.060P
  121.         C21         10 20   C=0.050P
  122.         C23         20 30   C=0.070P
  123.         C24         20 40   C=0.005P
  124.         D11         11 41   ZENER
  125.         D22         11 31   ZENER
  126.         RSUB        10 12   R=10
  127.         MOS1A       61 41 11 12 GATE1 L=1.1E-6 W=1150E-6
  128.         MOS2A       21 31 61 12 GATE2 L=2.0E-6 W=1150E-6
  129.         MOS1B       71 41 11 12 GATE3 L=1.1E-6 W=   6E-6
  130.         MOS2B       41 31 71 12 GATE4 L=4.0E-6 W=   6E-6
  132. .MODEL  ZENER
  133. +  D  BV=10 CJO=0.6E-12  RS=10
  135. .MODEL  GATE1
  136. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  137. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  138. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  139. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  141. .MODEL  GATE2
  142. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  143. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  144. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  145. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=1.5E-12 CBS=0.5E-12
  147. .MODEL  GATE3
  148. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  149. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  150. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  151. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  153. .MODEL  GATE4
  154. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=42E-9
  155. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  156. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  157. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  159. .ENDS BF904WR
  160. *   BF908WR SPICE MODEL OCTOBER 1993 PHILIPS SEMICONDUCTORS
  161. *   ENVELOPE    SOT343 
  162. *   1.: SOURCE;  2.: DRAIN;  3.: GATE 2;  4.: GATE 1;
  163. .SUBCKT BF908WR 1 2 3 4
  164.         L10          1 10   L=0.10N
  165.         L20          2 20   L=0.34N
  166.         L30          3 30   L=0.34N
  167.         L40          4 40   L=0.34N
  168.         L11         10 11   L=1.10N
  169.         L21         20 21   L=1.10N
  170.         L31         30 31   L=1.10N
  171.         L41         40 41   L=1.10N
  172.         C13         10 30   C=0.060P
  173.         C14         10 40   C=0.060P
  174.         C21         10 20   C=0.050P
  175.         C23         20 30   C=0.070P
  176.         C24         20 40   C=0.005P
  177.         D11        42 11   ZENER
  178.         D12        42 41   ZENER
  179.         D21        32 11   ZENER
  180.         D22        32 31   ZENER
  181.         RS         10 12   R=100
  182.         MOS1       61 41 11 12 GATE1 L=1.1E-6 W=1750E-6
  183.         MOS2       21 31 61 12 GATE2 L=2.0E-6 W=1750E-6
  185. .MODEL  ZENER
  186. +  D  BV=10 CJO=1.2E-12  RS=10
  188. .MODEL  GATE1
  189. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=-0.250 NFS=300E9 TOX=33E-9
  190. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  191. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  192. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  194. .MODEL  GATE2
  195. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=-0.250 NFS=300E9 TOX=33E-9
  196. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  197. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  198. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.7E-12 CBS=0.5E-12
  200. .ENDS BF908WR
  201. *   BF909 SPICE MODEL OCTOBER 1993 PHILIPS SEMICONDUCTORS
  202. *   ENVELOPE    SOT143 
  203. *   1.: SOURCE;  2.: DRAIN;  3.: GATE 2;  4.: GATE 1;
  204. .SUBCKT BF909 1 2 3 4
  205.         L10          1 10   L=0.12N
  206.         L20          2 20   L=0.12N
  207.         L30          3 30   L=0.12N
  208.         L40          4 40   L=0.12N
  209.         L11         10 11   L=1.20N
  210.         L21         20 21   L=1.20N
  211.         L31         30 31   L=1.20N
  212.         L41         40 41   L=1.20N
  213.         C13         10 30   C=0.085P
  214.         C14         10 40   C=0.085P
  215.         C21         10 20   C=0.017P
  216.         C23         20 30   C=0.085P
  217.         C24         20 40   C=0.005P
  218.         D11         11 41   ZENER
  219.         D22         11 31   ZENER
  220.         RS          10 12   R=10
  221.         MOS1A       61 41 11 12 GATE1 L=1.1E-6 W=1750E-6
  222.         MOS2A       21 31 61 12 GATE2 L=2.0E-6 W=1750E-6
  223.         MOS1B       71 41 11 12 GATE3 L=1.1E-6 W=   6E-6
  224.         MOS2B       41 31 71 12 GATE4 L=4.0E-6 W=   6E-6
  226. .MODEL  ZENER
  227. +  D  BV=10 CJO=0.6E-12  RS=10
  229. .MODEL  GATE1
  230. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  231. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  232. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  233. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  235. .MODEL  GATE2
  236. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  237. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  238. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  239. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=1.5E-12 CBS=0.7E-12
  241. .MODEL  GATE3
  242. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  243. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  244. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  245. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  247. .MODEL  GATE4
  248. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  249. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  250. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  251. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  254. .ENDS BF909
  255. *   BF909R SPICE MODEL OCTOBER 1993 PHILIPS SEMICONDUCTORS
  256. *   ENVELOPE    SOT143R 
  257. *   1.: SOURCE;  2.: DRAIN;  3.: GATE 2;  4.: GATE 1;
  258. .SUBCKT BF909R 1 2 3 4
  259.         L10          1 10   L=0.12N
  260.         L20          2 20   L=0.12N
  261.         L30          3 30   L=0.12N
  262.         L40          4 40   L=0.12N
  263.         L11         10 11   L=1.20N
  264.         L21         20 21   L=1.20N
  265.         L31         30 31   L=1.20N
  266.         L41         40 41   L=1.20N
  267.         C13         10 30   C=0.085P
  268.         C14         10 40   C=0.085P
  269.         C21         10 20   C=0.017P
  270.         C23         20 30   C=0.085P
  271.         C24         20 40   C=0.005P
  272.         D11         11 41   ZENER
  273.         D22         11 31   ZENER
  274.         RS          10 12   R=10
  275.         MOS1A       61 41 11 12 GATE1 L=1.1E-6 W=1750E-6
  276.         MOS2A       21 31 61 12 GATE2 L=2.0E-6 W=1750E-6
  277.         MOS1B       71 41 11 12 GATE3 L=1.1E-6 W=   6E-6
  278.         MOS2B       41 31 71 12 GATE4 L=4.0E-6 W=   6E-6
  280. .MODEL  ZENER
  281. +  D  BV=10 CJO=0.6E-12  RS=10
  283. .MODEL  GATE1
  284. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  285. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  286. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  287. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  289. .MODEL  GATE2
  290. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  291. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  292. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  293. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=1.5E-12 CBS=0.7E-12
  295. .MODEL  GATE3
  296. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  297. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  298. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  299. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  301. .MODEL  GATE4
  302. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  303. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  304. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  305. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  308. .ENDS BF909R
  309. *   BF909WR SPICE MODEL OCTOBER 1993 PHILIPS SEMICONDUCTORS
  310. *   ENVELOPE    SOT343 
  311. *   1.: SOURCE;  2.: DRAIN;  3.: GATE 2;  4.: GATE 1;
  312. .SUBCKT BF909WR 1 2 3 4
  313.         L10          1 10   L=0.10N
  314.         L20          2 20   L=0.34N
  315.         L30          3 30   L=0.34N
  316.         L40          4 40   L=0.34N
  317.         L11         10 11   L=1.10N
  318.         L21         20 21   L=1.10N
  319.         L31         30 31   L=1.10N
  320.         L41         40 41   L=1.10N
  321.         C13         10 30   C=0.060P
  322.         C14         10 40   C=0.060P
  323.         C21         10 20   C=0.050P
  324.         C23         20 30   C=0.070P
  325.         C24         20 40   C=0.005P
  326.         D11         11 41   ZENER
  327.         D22         11 31   ZENER
  328.         RS          10 12   R=10
  329.         MOS1A       61 41 11 12 GATE1 L=1.1E-6 W=1750E-6
  330.         MOS2A       21 31 61 12 GATE2 L=2.0E-6 W=1750E-6
  331.         MOS1B       71 41 11 12 GATE3 L=1.1E-6 W=   6E-6
  332.         MOS2B       41 31 71 12 GATE4 L=4.0E-6 W=   6E-6
  334. .MODEL  ZENER
  335. +  D  BV=10 CJO=0.6E-12  RS=10
  337. .MODEL  GATE1
  338. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  339. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  340. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  341. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  343. .MODEL  GATE2
  344. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  345. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  346. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  347. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=1.5E-12 CBS=0.7E-12
  349. .MODEL  GATE3
  350. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  351. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  352. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  353. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  355. .MODEL  GATE4
  356. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=+0.700 NFS=300E9 TOX=33E-9
  357. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=400 RD=400 XJ=200E-9 THETA=0.11
  358. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  359. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.1E-12 CBS=0.1E-12
  362. .ENDS BF909WR
  363. *   BF998 SPICE MODEL OCTOBER 1993 PHILIPS SEMICONDUCTORS
  364. *   ENVELOPE    SOT143 
  365. *   1.: SOURCE;  2.: DRAIN;  3.: GATE 2;  4.: GATE 1;
  366. .SUBCKT BF998 1 2 3 4
  367.         L10          1 10   L=0.12N
  368.         L20          2 20   L=0.12N
  369.         L30          3 30   L=0.12N
  370.         L40          4 40   L=0.12N
  371.         L11         10 11   L=1.20N
  372.         L21         20 21   L=1.20N
  373.         L31         30 31   L=1.20N
  374.         L41         40 41   L=1.20N
  375.         C13         10 30   C=0.085P
  376.         C14         10 40   C=0.085P
  377.         C21         10 20   C=0.017P
  378.         C23         20 30   C=0.085P
  379.         C24         20 40   C=0.005P
  380.         D11         42 11   ZENER
  381.         D12         42 41   ZENER
  382.         D21         32 11   ZENER
  383.         D22         32 31   ZENER
  384.         RS          10 12   R=100
  385.         MOS1        61 41 11 12 GATE1 L=1.1E-6 W=1150E-6
  386.         MOS2        21 31 61 12 GATE2 L=2.0E-6 W=1150E-6
  388. .MODEL  ZENER  D  BV=10 CJO=1.2E-12  RS=10
  390. .MODEL  GATE1
  391. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=-0.250 NFS=300E9 TOX=42E-9
  392. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  393. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  394. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  396. .MODEL  GATE2 
  397. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=-0.250 NFS=300E9 TOX=42E-9
  398. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  399. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  400. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  402. .ENDS BF998
  403. *   BF998R SPICE MODEL OCTOBER 1993 PHILIPS SEMICONDUCTORS
  404. *   ENVELOPE    SOT143R 
  405. *   1.: SOURCE;  2.: DRAIN;  3.: GATE 2;  4.: GATE 1;
  406. .SUBCKT BF998R 1 2 3 4
  407.         L10          1 10   L=0.12N
  408.         L20          2 20   L=0.12N
  409.         L30          3 30   L=0.12N
  410.         L40          4 40   L=0.12N
  411.         L11         10 11   L=1.20N
  412.         L21         20 21   L=1.20N
  413.         L31         30 31   L=1.20N
  414.         L41         40 41   L=1.20N
  415.         C13         10 30   C=0.085P
  416.         C14         10 40   C=0.085P
  417.         C21         10 20   C=0.017P
  418.         C23         20 30   C=0.085P
  419.         C24         20 40   C=0.005P
  420.         D11         42 11   ZENER
  421.         D12         42 41   ZENER
  422.         D21         32 11   ZENER
  423.         D22         32 31   ZENER
  424.         RS          10 12   R=100
  425.         MOS1        61 41 11 12 GATE1 L=1.1E-6 W=1150E-6
  426.         MOS2        21 31 61 12 GATE2 L=2.0E-6 W=1150E-6
  428. .MODEL  ZENER  D  BV=10 CJO=1.2E-12  RS=10
  430. .MODEL  GATE1
  431. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=-0.250 NFS=300E9 TOX=42E-9
  432. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  433. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  434. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  436. .MODEL  GATE2 
  437. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=-0.250 NFS=300E9 TOX=42E-9
  438. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  439. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  440. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  442. .ENDS BF998R
  443. *   BF998WR SPICE MODEL OCTOBER 1993 PHILIPS SEMICONDUCTORS
  444. *   ENVELOPE    SOT343 
  445. *   1.: SOURCE;  2.: DRAIN;  3.: GATE 2;  4.: GATE 1;
  446. .SUBCKT BF998WR 1 2 3 4
  447.         L10          1 10   L=0.10N
  448.         L20          2 20   L=0.34N
  449.         L30          3 30   L=0.34N
  450.         L40          4 40   L=0.34N
  451.         L11         10 11   L=1.10N
  452.         L21         20 21   L=1.10N
  453.         L31         30 31   L=1.10N
  454.         L41         40 41   L=1.10N
  455.         C13         10 30   C=0.060P
  456.         C14         10 40   C=0.060P
  457.         C21         10 20   C=0.050P
  458.         C23         20 30   C=0.070P
  459.         C24         20 40   C=0.005P
  460.         D11         42 11   ZENER
  461.         D12         42 41   ZENER
  462.         D21         32 11   ZENER
  463.         D22         32 31   ZENER
  464.         RS          10 12   R=100
  465.         MOS1        61 41 11 12 GATE1 L=1.1E-6 W=1150E-6
  466.         MOS2        21 31 61 12 GATE2 L=2.0E-6 W=1150E-6
  468. .MODEL  ZENER  D  BV=10 CJO=1.2E-12  RS=10
  470. .MODEL  GATE1
  471. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=-0.250 NFS=300E9 TOX=42E-9
  472. +  NSUB=3E15 VMAX=140E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  473. +  ETA=0.06 KAPPA=2 LD=0.1E-6
  474. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  476. .MODEL  GATE2 
  477. +  NMOS LEVEL=3 UO=600  VTO=-0.250 NFS=300E9 TOX=42E-9
  478. +  NSUB=3E15  VMAX=100E3 RS=2.0 RD=2.0 XJ=200E-9 THETA=0.11
  479. +  ETA=0.06  KAPPA=2 LD=0.1E-6
  480. +  CGSO=0.3E-9 CGDO=0.3E-9 CBD=0.5E-12 CBS=0.5E-12
  482. .ENDS BF998WR
  483. .SUBCKT bsv81 10 20 30
  484. M1 10 20 30 30 NMOS
  485. .MODEL NMOS NMOS
  486. + LEVEL=3
  487. + W=1E-3
  488. + L=1E-6
  489. + UO=380.8
  490. + VTO=-1.035
  491. + NFS=1E12
  492. + TOX=1E-7
  493. + NSUB=1.153E15
  494. + NSS=0
  495. + VMAX=1E6
  496. + RS=3
  497. + RD=3
  498. + RSH=0
  499. + CBD=0
  500. + CBS=0
  501. + CJ=0.001396
  502. + MJ=0.3936
  503. + CJSW=0
  504. + MJSW=0.33
  505. + IS=1E-14
  506. + PB=0.5983
  507. + FC=0.5
  508. + XJ=0
  509. + LD=0
  510. + DELTA=0
  511. + THETA=1E-6
  512. + ETA=0.009307
  513. + KAPPA=2.226
  514. .ENDS