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资源说明：• 电源电压
- 1.65V ~ 1.95V
- 2.70V ~ 3.60V
• 组织结构
- 存储单元阵列: (256M + 8M) x 8bit
- 数据寄存器: (2K + 64) x 8bit
• 自动的编程(写入)和擦除
- 页编程: (2K + 64)Byte
- 块擦除: (128K + 4K)Byte
• 页读取操作
- 页面大小 : (2K + 64)Byte
- 随机读取 : 25µs(最大.)
- 串行访问 : 25ns(最小.)
(*K9F2G08R0A: tRC = 42ns(最小))
• 快速编程周期时间
- 页编程时间: 200µs(典型值)
- 块擦除时间: 1.5ms(典型值)
• 命令/地址/数据复用I/O端口
• 硬件数据保护
•
- 编程/擦除在电源转换分离
可靠的CMOS浮栅技术
-耐力: 100K编程/擦除周期(有1bit/512Byte ECC)
数据保存时间: 10 年
• 命令式操作
• 带有1bit/528Byte EDC的智能Copy-Back编程
• 唯一的ID版权保护
• 封装
- K9F2G08R0A-JCB0/JIB0 : 无铅封装
63 - Ball FBGA I (10 x 13 / 0.8 mm 间距)
- K9F2G08U0A-PCB0/PIB0 : 无铅封装
48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm 间距)
- K9F2G08U0A-ICB0/IIB0
52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm 间距)
本文档提供的为256Mx8bit的版本,K9F2G08X0A是2G-bit大小的NAND Flash存储器，带有64Mbit额外数据区(OOB区、冗余区)。此
NAND存储颗粒为固态存储市场应用提供了最具成本效益的解决方案。编程(写入)操作可以在200µs(典型值)对大小为(2K+64)Byte的页
进行写入，擦除操作可以在1.5ms(典型值)擦除大小为(128K+4K)的块。读取数据寄存器的数据周期时间为25ns(1.8v设备为42ns) 每字
节。I/O端口可以作为地址和数据输入/输出，也可以作为命令输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能包括脉冲重复、
并内部核查和数据余量(如有需要)。即使是写入操作频繁的系统，也可以通过K9F2G08X0A采用实时映射算法的ECC(错误纠正码)来加
强多达的100K编程/擦除周期的可靠性，K9F2G08X0A是一个用于大型非易失性存储应用的最佳解决方案，例如固态文件存储和其他用
于非易失性要求的便携式存储应用。
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