由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是：当编程/擦除这个块时，不能将某些位拉高，这会造成Page Program和Block Erase操作时的错误，相应地反映到Status Register的相应位。

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1.扇区读写到NAND FLASH的转换 2.坏块管理 3.磨损平横 nand flash 磨损均衡算法 Nand Flash Translation Layer （源码包）

该实验程序完成了land flash的读写测试，包括串口打印输出功能，适用于fl2440，ok2440上的k9f**（2K） nand falsh读写实验代码

AN1823 Error Correction Code (ECC) in Single-level Cell (SLC) NAND Flash.pdf

nand flash 的读写,查处,坏块检查

NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别 NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别

1 正文之前 5 1.1 目的 5 1.2 目标读者和阅读此文的前提 5 1.3 说明 5 1.4 声明 5 2 编写驱动之前要了解的知识 6 2.1 一些相关的名词的解释 6 2.2 硬件特性 8 2.2.1 什么是Flash 8 2.2.2 什么是Nand Flash 8 2.2.3 SLC和MLC的实现机制 10 2.2.4 Nand Flash数据存储单元的整体架构 11 2.2.5

一、 概况..............................................................................................................................................................3 1. NAND 闪存的种类...................

at91 nand controller