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资源说明：飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用Field Stop(场截止)结构和抗雪崩的Trench gate(沟道栅)技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的NPT-Trench IGBT器件相比，FGA20N120FTD可减小25% 的导通损耗、8%的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）在电源技术领域推出了创新的1200V Field Stop Trench IGBT系列，具体型号为FGA20N120FTD和FGA15N120FTD，主要应用于电磁感应加热系统的高效能设计。这一系列器件融合了Field Stop技术和抗雪崩的Trench Gate技术，实现了传导损耗和开关损耗的最佳平衡，从而提高整体系统效率。
Field Stop结构是IGBT设计中的关键特性，它通过在半导体内部创建一个绝缘区来限制电流的流动，防止过大的电场导致器件损坏。这种技术能够显著降低器件的导通电阻，减少导通损耗，使电源转换过程更加高效。而Trench Gate技术则利用沟槽形状的栅极，增强了器件的开关性能，降低了开关损耗，同时增加了器件的抗雪崩能力，使其能够在高电压环境下稳定工作。
FGA20N120FTD和FGA15N120FTD相较于传统的NPT-Trench IGBT，具有更优的性能指标。前者在降低导通损耗方面表现出色，减少了25%，开关损耗则降低了8%，这些改进不仅提升了效率，还使得系统运行温度显著下降。因此，对于需要冷却的系统，其冷却需求得以减轻，从而增强系统的可靠性和整体寿命，降低了系统的总成本。
此外，这些新型IGBT器件内置了专为零电压开关（Zero Voltage Switching, ZVS）技术优化的快速恢复二极管（FRD）。ZVS技术在开关过程中可以避免电压冲击，减少能量损失，提高转换效率。内置的FRD简化了系统设计，减少了外部元件，进一步提升了系统的可靠性。
器件的一致性参数分布是其另一大亮点，这意味着在不同工作条件下，器件的性能变化较小，增强了系统稳定性和一致性。抗雪崩能力的提升，意味着这些IGBT能在高压瞬态下承受更大的冲击，延长了器件的使用寿命。
在环保方面，FGA20N120FTD和FGA15N120FTD遵循了无铅（Pb-free）制造工艺，符合潮湿敏感度标准，以及欧盟RoHS指令的要求，显示了飞兆半导体对环境保护的承诺。
目前，这两个新型号已开放样品供应，且在收到订单后8周内可交付。这些先进的1200V Field Stop Trench IGBT器件为电磁感应加热应用带来了更高的效率和更低的成本，将推动电源技术领域的进步。
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