资源说明:AT45DB321D 是 2.7V、串行接口访问的 FLASH 存储器。对于非常高速的要求时它支持快速串行接口。
它兼容 SPI的66MHz频率。这有 34603008 位存储器组织成512或 528 字节的8192 页。加之主存储器,它
的两 SRAM 缓冲区每个为 512/528 字节。这个缓冲区允许在主存储器要重新编程时接收一页数据,来写一
个连续的数据流。 EEPROM 用(位或字节修改)用包含三步 读-编辑-写 操作非常容易。 不同传统 FLASH 内存,
它用多地址线和一个并行接口访问随意,而 DataFlash 用一个快速串行接口访问这的数据。简单串行访问
引人注目的是减少引脚数、使硬件容易设计、增加系统可靠性、缩小噪声和减小封装大小。这个芯片对高
密度、小引脚、低电压和低电源的要求在众多商业和工业使用是最好的。
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