论文研究-Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 .pdf
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资源说明:Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 ,宋庆文,张玉明,基于水平式低压热壁化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition- CVD)生长系统,采用Al离子注入后进行二次外延生长的方法,成功的在N型4H-SiC ��
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