基础电子中的单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数
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资源说明:一、单向可控硅参数_额定通态平均电流IT(AV)   在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时,可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。   二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT(AV)   在规定环境、温度散热条件下,元件通以额定通态平均电流,结温稳定时,阳极和阴极间电压平均值。   三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT   在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。   四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT   在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可
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