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The impact of Miller and coupling effects on single event transient in logical circuits
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资源说明：本文探讨了米勒效应（Miller effect）和耦合效应（coupling effects）对逻辑电路中单事件瞬态（single event transient，SET）的影响。随着集成电路制造技术的不断进步，特征尺寸逐渐缩小，米勒效应和互连线之间的耦合效应对组合逻辑电路中单事件瞬态的产生和传播产生了显著影响。
米勒效应是指当晶体管栅极与漏极间的电容效应显著时，会对栅极电压变化产生反馈作用，这种反馈作用会对电路性能造成影响。在组合逻辑电路中，米勒效应会影响到单事件瞬态的产生和传播。在集成电路设计中，米勒电容是设计时考虑的重要因素之一，特别是在高速电路和低功耗设计中，米勒效应更是设计者必须重点处理的问题。
耦合效应是指在集成电路中，不同互连线之间由于电场和磁场的相互作用而产生的相互影响。在信号传输过程中，互连线之间的耦合会导致信号串扰，这可能会影响信号的完整性和电路的稳定性。特别是在高速数字电路和深亚微米电路设计中，耦合效应已经成为必须考虑的关键因素。
文章中提到的“ICs are arranged: linear and ‘S’ types”，可能是指电路布局的方式。其中“linear”可能是指线性布局，而“‘S’ type”可能是指某种特殊设计的“S”型布局，这种布局方式可能在抑制单事件瞬态方面更加有效。
文章采用分析模型来描述米勒效应和耦合效应对单事件瞬态传播的影响，并提出了一个判断数字电路中单事件瞬态发生的准则。该准则综合考虑了耦合效应和米勒反馈的影响。
研究还分析了温度和技术节点对单事件瞬态产生和传播的影响。结果显示，米勒效应和耦合效应的存在将提高SET产生的临界电荷，并减少估算的单事件翻转（single-event upset，SER）概率。此外，“‘S’ type”布局方式比线性布局方式对SET的免疫性更强。
综合上述内容，本研究为理解和改善微电子和集成电路设计中的单事件瞬态效应提供了一个新的视角。尤其是在超大规模集成电路（VLSI）和深亚微米技术节点的电路设计中，该研究有助于设计师在电路布局和设计过程中，通过考虑米勒反馈和互连线耦合效应来降低单事件瞬态的负面影响，从而提高电路的可靠性和稳定性。
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