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元器件应用中的中泰PS011热电阻信号调理板工作原理
... 的附加电阻造成的测量误差。其电路示意图如图2所示。
其中，R1、R2、R3为联结导线，且R1=R2=R3，I1=I2=I3
则U=V+-V-=（I1R1+I1Rt+2IR3）-（I2R2+2IR3） =I1Rt =Vt
即当三条联结导线的电阻相等
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基础电子中的实现ZVS的策略及次级占空比的丢失
... 桥转换器实现ZVS的关键在于滞后臂。滞后臂实现ZVS的条件就是式。从式（5－l19）可以看出，要满足它有两个办法：一是增大谐振电感Lr，二是增大I2。
1．增加励磁电流
对于某一已知的谐振电感Lr，就必须有一个最小电流I2的值I2min来使Lr中的能量1/2LrI2min能实现ZVS。有人提出用增加励磁电流IM的方法实现ZVS，实质上就是提高I2min。
由于增加了励磁电流IM，初级电流在 ...
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元器件应用中的磁性元件中导体的集肤效应和邻近效应［6］
假设磁性元件（如变压器）铜损耗的计算公式为I2·Rdc，式中，Rdc为绕组的直流电阻，它是通过绕组导线长度和绕组单位长度的电阻值（根据选定导线尺寸查表即得）计算出来的。I为电流的有效值。
由于集肤效应和邻近效应的影响，绕组的损耗往往比；I2·Rdc大很多。
绕组中的可变磁场感应产生了涡流，从而导致了集肤效应和邻近效应的产生。集肤效应是由绕组的自感产生的涡流引起的，而邻近效应则是由绕组的互感产生的涡流引起的。 ...
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基础电子中的动态磁滞田线的测试
... 用双线记忆示波器观测磁滞回线的实验原理示意电 路如图 1所示。在励磁回路中有检测励磁电流i1的取 样电阻Rs＝1mΩ，RS的值越小越好。i2为测量绕组的 电流。电流取样信号i1RS＝HlcRs/W1，它与H成正比，经过放大后输入到示波器的X轴；测量绕组检测感应电压e经过RC积分放大后，输人到Y轴。电容
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基础电子中的基尔霍夫定律/叠加原理实验内容
实验电路如图所示。采用DGJ－03挂箱的“基尔霍夫定律/叠加原理”线路。 1.图中的I1，I2，I3的参考方向己经设定，三个闭合回路的正方向设定为ADEFA，BADCB，FBCEF，开关S3投向电阻R5(330Ω)一侧，组成一个线性电路。 2．分别将两路直流稳压源接入 ... 实验电路
3，熟悉电流插头的结构，将电流插头的两端接至数字毫安表的“＋、—”两端。 4，将电流插头分别插入三个电流插座中，读取并记录各支路电流I1，I2，I3。 5．用直流数字电压表分别测量两路电源及电阻元件上的电压值，将测
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元器件应用中的电阻器在分压电路中的作用
分压电路实际上是电阻的串联电路，如图1所示。它有以下几个特点：
①通过各电阻的电流是同一电流，即各电阻中的电流相等I=I1=I2=I3; ②总电压等于各电阻上的电压降之和，即V=V1+V2+V3; ③总电阻等于各电阻之和，即R=R1+R2+R3。
在实践中可利用电阻串联电路来进行分压以改变输出电压，如收音机和扩音机的音量调节电路、半导体管工作点的偏置电路及降压电路等． 图1电阻的串联电路
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元器件应用中的电阻器在分流电路的作用
分流电路实际上是电阻器的并联电路，如图1所示。它有以下几个特点： ①各支路的电压等于总电压; ②总电流等于各支路电流之和，即I=I1=I2=I3 ③总电阻的倒数等于各支路电阻倒数之和即 图1电阻器的并联电路
在实践中经常利用电阻器的并联电路组成分流电路，以对电路中的电流 ...
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通信与网络中的Supermicro 发布双口万兆以太网络解决方案
... (Nasdaq: SMCI)发布了首款万兆以太网解决方案。高效的 Supermicro UIO 架构的 AOC-UTG-i2 及基于标准 PCI－E 架构的 AOC-STG-i2 的网络适配器，采用 Intel(R) 82598万兆以太网控制器，具有基于 PCI－E 的双万兆传输带宽， ... 客户方便的升级到万兆网络应用，” Supermicro 总裁兼 CEO 谈到，“AOC-UTG-i2 基于 Supermicro 灵活的 UIO 架构，能够适用于 1U
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Go To English Version 超过100万源码资源，1000万源码文件免费下载
